Разница между BJT и FET

BJT против FET

И BJT (биполярный переходный транзистор), и FET (полевой транзистор) являются двумя типами транзисторов. Транзистор - это электронное полупроводниковое устройство, которое выдает сильно изменяющийся электрический выходной сигнал при небольших изменениях в небольших входных сигналах. Благодаря этому качеству устройство можно использовать как усилитель или как переключатель. Транзистор был выпущен в 1950-х годах, и его можно считать одним из самых важных изобретений в 20-м веке, учитывая его вклад в развитие информационных технологий. Различные типы архитектур для транзистора были протестированы.

Биполярный переходной транзистор (BJT)

BJT состоит из двух PN-переходов (переход, выполненный путем соединения полупроводника p-типа и полупроводника n-типа). Эти два соединения формируются с использованием соединения трех полупроводниковых элементов в порядке P-N-P или N-P-N. Там для двух типов BJT, известных как PNP и NPN доступны.

Три электрода соединены с этими тремя полупроводниковыми частями, а средний вывод называется «основанием». Два других перехода - «эмиттер» и «коллектор».

В BJT ток эмиттера большого коллектора (Ic) контролируется небольшим базовым током эмиттера (IB), и это свойство используется для разработки усилителей или переключателей. Там его можно рассматривать как токоприводное устройство. BJT в основном используется в схемах усилителей.

Полевой транзистор (FET)

FET состоит из трех терминалов, известных как «Gate», «Source» и «Drain». Здесь ток утечки контролируется напряжением на затворе. Поэтому полевые транзисторы являются устройствами, контролируемыми напряжением.

В зависимости от типа полупроводника, используемого для истока и стока (в полевом транзисторе они оба выполнены одного и того же типа полупроводника), полевым транзистором может быть N-канальное или P-канальное устройство. Поток тока от источника к стоку регулируется путем регулировки ширины канала путем подачи соответствующего напряжения на затвор. Есть также два способа управления шириной канала, известные как истощение и улучшение. Поэтому полевые транзисторы доступны в четырех различных типах, таких как N-канал или P-канал, либо в режиме истощения, либо в режиме улучшения..

Существует много типов полевых транзисторов, таких как МОП-транзистор (металлооксидный полупроводниковый транзистор), HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). CNTFET (углеродная нанотрубка FET), возникшая в результате развития нанотехнологий, является последним членом семейства FET.